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工作職責(zé)與任務(wù)：
1. 負(fù)責(zé)新產(chǎn)品開發(fā)需求擬制，能從系統(tǒng)適用性、競(jìng)爭(zhēng)性、成本等多維度提取參數(shù)邊界，精準(zhǔn)定義產(chǎn)品，輸出芯片、封裝成品的設(shè)計(jì)要求。
2. 負(fù)責(zé)新產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)度跟進(jìn)，芯片流片、模塊試封、成測(cè)測(cè)評(píng)等，并分析、識(shí)別、處理產(chǎn)品開發(fā)過程中的各類異常，包含封裝和可靠性等。
3. 負(fù)責(zé)新產(chǎn)品測(cè)評(píng)開發(fā)與認(rèn)定，測(cè)試規(guī)范擬制及優(yōu)化升級(jí)。
4. 負(fù)責(zé)產(chǎn)品定型、轉(zhuǎn)批評(píng)審、客訴分析。
5. 負(fù)責(zé)產(chǎn)品規(guī)格書的制作、審核及更新。
6. 負(fù)責(zé)芯片及封裝成品電性測(cè)試和可靠性實(shí)驗(yàn)跟蹤，并完成測(cè)試及實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析。
四、崗位技能要求：
1．本科及以上學(xué)歷，電力電子、半導(dǎo)體或相關(guān)專業(yè)，3年以上工作經(jīng)驗(yàn)，碩士?jī)?yōu)先，國(guó)際功率器件半導(dǎo)體廠家工作經(jīng)歷者優(yōu)先。
2．熟悉IGBT、SIC、功率模塊技術(shù)原理、研發(fā)工藝、可靠性要求，熟悉各項(xiàng)參數(shù)和測(cè)試原理，掌握失效分析手段和流程。
3．有較強(qiáng)的研發(fā)項(xiàng)目的管理經(jīng)驗(yàn)，溝通協(xié)調(diào)能力強(qiáng)，責(zé)任心及團(tuán)隊(duì)合作精神優(yōu)秀。
4．良好的英語聽說讀寫能力，較強(qiáng)的學(xué)習(xí)能力。
5. 從事過基于IGBT的變流裝置的研發(fā)或應(yīng)用，使用過電路設(shè)計(jì)或仿真軟件優(yōu)先考慮；
6．性格外向，有良好的溝通協(xié)調(diào)能力，工作責(zé)任心和執(zhí)行力佳。